Samsung: O primeiro chip de 3nm do mundo'
Na recente IEEE ISSCC International Solid - State Circuits Conference, chips de 3 nm! A Samsung ampliou o zoom e a Samsung iniciou com sucesso a batalha dos chips em todo o mundo. Na conferência, a Samsung lançou o primeiro chip de memória SRAM fabricado pelo processo de 3nm, levando o processo de semicondutores a um novo estágio novamente. O chip de memória SRAM de processo de 3nm da Samsung tem uma capacidade de 256GB e uma área de apenas 56 milímetros quadrados. O desempenho é melhorado em 30% e o consumo de energia é reduzido em 50%. Espera-se que seja oficialmente produzido em massa - em 2022. A Samsung adotou uma nova tecnologia de transistor no chip de processo de 3 nm e usou a tecnologia GAA para resolver uma série de problemas, como geração de calor e consumo excessivo de energia anteriormente encontrados no processo de 5 nm. A tecnologia GAAFET é mais compacta no arranjo e pode acomodar mais transistores, de modo que a área do chip correspondente será ainda mais reduzida, juntamente com seu controle mais preciso da corrente do canal cruzado -, espera-se alcançar a liderança tecnológica.
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